1 ) 华为2026年或占中国AI芯片市场50%份额

12月4日，全球知名股权研究公司Bernstein Research最新报告指出，华为在人工智能芯片领域的持续投入预计将在2026年迎来显著回报。报告预测，到2026年，华为将占据中国AI芯片市场50%的份额，成为该领域的绝对领导者。与此同时，英伟达的市场份额将从目前的39%大幅萎缩至8%，美国芯片公司AMD预计以12%的份额排名第二，寒武纪可能位列第三。

Bernstein Research的报告显示，目前英伟达以39%的市场份额位居中国AI芯片市场首位，华为以相近的份额紧随其后。然而，到2026年，市场格局将发生翻天覆地的变化，华为将占据中国AI芯片市场50%的份额，成为绝对领导者。

报告进一步预测，到2028年，中国本土AI芯片产量将超过国内需求，供应-需求比例预计达到104%。2026年这一比例将为39%，而本土AI芯片销售额在未来三年内的复合年增长率（CAGR）预计高达74%，到2028年销售额可能增长93%。

这一预测突显了中国在AI半导体技术领域的快速自主化进程。如果成真，华为昇腾（Ascend）AI芯片及中国本土人工智能半导体技术将在全球市场占据更重要的地位。

黄仁勋的警告与Bernstein的报告形成呼应。12月3日，在华盛顿智库美国战略与国际问题研究中心（CSIS）举办的一场活动上，英伟达CEO黄仁勋警告称，如果美国企业放任华为等中国竞争对手抢占市场，中国将很快寻求向全球输出其人工智能技术。

黄仁勋表示："你不可能取代中国市场。我们不应该把整个市场拱手让给他们……我们应该去争取它。"他进一步指出，如果将中国市场拱手让给其本土企业，还将为中国向其他国家输出先进技术创造便利条件。

2 ) 韩国专家谈长鑫DDR5内存，中韩内存技术差距几乎消失

近日，长鑫存储正式发布最新的DDR5和LPDDR5X产品，挑战韩美先进存储大厂。

据长鑫介绍，最新DDR5系列最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。 此外，长鑫还展示了上个月已经发布的LPDDR5X产品。该系列针移动市场旗舰产品，最高速率 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，并涵盖 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。 这组数字意味着：DDR5的高端市场——特别是 7000 Mbps 以上的领域——曾被视作三星、SK海力士和美光国际三巨头的专属领地，如今已被长鑫强势打破，中国企业正式拥有了与国际巨头分庭抗礼的话语。

今年稍早时，市场曾出现由中国企业生产的少量DDR5内存，但这次是长鑫存储作为代表，首度正式展示实际产品。 半导体产业指出，长鑫存储展示内存性能值得关注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代产品（6400 Mbps）提升25%，在技术路线上至少已追上韩国公司。 业界人士认为，长鑫存储的性能足以应用于搭载最先进CPU的服务器。 根据韩媒 Business Korea引述日经及研调机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储第三季DRAM市占率达8%，排名第四。 在NAND部分，长江存储第三季度市占率为13%。         

中韩存储技术差距与未来竞争  

由于美国封锁EUV等关键设备出口中国，使得中国扩张脚步放缓，但与韩国在通用DRAM市场的技术差距约不到一年。 韩媒认为，随着2030年迎来3D DRAM时代，竞争关系可能又会出现变数。3D DRAM是将内存单元向上堆叠的产品，当3D DRAM时代来临时，对EUV光刻设备的需求将下降，这可能成为中国企业超车的机会。 首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授表示，单看内存技术水平，韩国与中国的差距几乎已经消失。 当不需要EUV光刻设备的3D DRAM时代在五年后到来时，中国将进一步崛起。 

除了颗粒够强，长鑫这次还一口气发布了包括 UDIMM、CUDIMM、SODIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM 以及 TFF MRDIMM 在内的七大模组形态。 一句话总结：从每个人的超薄笔记本，到数据中心的算力怪兽，长鑫这次全包圆了。 特别值得注意的是，长鑫不仅拿出了面向消费级发烧友的 CUDIMM、CSODIMM（带时钟驱动的内存），更展示了面向服务器的 MRDIMM 和 TFF MRDIMM。这两种模组代表了目前存储行业的最高技术难度，是专门为解决服务器“内存墙”问题而生的。能把这些硬骨头啃下来，说明长鑫已经具备了为全球顶级服务器厂商提供系统级解决方案的能力。

3 ）英特尔18A良率显著提升、先进封装受益CoWoS“溢出效应”

近日，在瑞银全球科技与人工智能会议上，英特尔副总裁John Pitzer透露，公司最新一代Intel 18A制程良率已实现“惊人提升”，并将于2026年1月正式推出采用该工艺的Panther Lake芯片。

这一进展不仅打消了外界对其技术能力的疑虑，更标志着英特尔代工服务（IFS）正从“自救”走向“外拓”的关键转折。

Intel 18A是英特尔对标台积电3nm、三星SF3的先进节点，采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，旨在提升性能、降低功耗。

根据英特尔内部实测数据，在RibbonFET和PowerVia的双重加持下，Intel 18A制程展现出了惊人的能效比：较上一代产品在相同功耗下性能提升超15%，相同性能下功耗降低25%以上，晶体管密度更是提升30%，单芯片集成上百亿晶体管。

目前，基于Intel 18A制程的首款客户端SoC——代号为Panther Lake的下一代AI PC处理器，正在英特尔最新的晶圆厂进行生产。

值得一提的是，英特尔代工部门的先进封装业务也在取得突破。随着台积电CoWoS封装产能持续紧张，大量AI芯片客户被迫寻找替代方案。正是这一“溢出效应”，让英特尔的EMIB、EMIB-T和Foveros等先进封装技术成为部分厂商新的选择。

面对市场关于“分拆代工部门”的猜测，Pitzer明确否认，并强调管理层对IFS的信心“比几个月前更强”。外部客户的双重兴趣——既关注18A制程，也依赖先进封装——成为支撑这一信心的核心依据

如果Intel 18A制程的良品率稳步提升，其Panther Lake的实际表现也如英特尔宣称的那样，那么该公司不仅可以在PC市场稳固自身现有的份额根基，还极有可能凭借18A制程向外界充分展示其代工服务所具备的技术实力，进而在2026年及之后的代工市场中抢占一定的份额。

4 ）台积电A14工艺曝光

台积电在其欧洲OIP论坛上展示的一张幻灯片清晰地阐述了其将于2028年推出的A14（1.4nm级，正面供电）制程工艺相比其前代产品N2（2nm级，正面供电）的优势。结果表明，A14在相同功耗和复杂度下性能提升16%，在相同时钟频率和复杂度下功耗降低27%。然而，为了充分发挥下一代制造技术的潜力，芯片设计人员可能需要使用更智能的电子设计自动化（EDA）工具。 

当代工厂发布新的工艺技术时，通常会公布一系列特性，以展现不同代际工艺之间的相对差异。随着生产节点的不断推进，芯片制造商往往会获得更多关于其性能的数据，并随着时间的推移逐步明确其特性。台积电的A14工艺正是如此。此前，该公司表示，与N2工艺相比，在相同的功耗和晶体管数量下，A14工艺的性能将提升10%至15%；在相同的时钟频率和复杂度下，功耗将降低25%至30%；混合芯片的晶体管密度也将提升约20%。而从幻灯片来看，新节点的性能将略高于预期，但功耗方面则保持在预期值的中等水平。

台积电展示这张幻灯片是为了说明其工艺技术的可扩展性，旨在表明尽管摩尔定律增速放缓并面临严峻挑战，但它仍然有效。然而，这张幻灯片仅列出了主要的主流制程节点，而省略了N3B（主要由苹果和英特尔使用）以及N3P和N2P等节点间升级。虽然提及N3X、N2X和A16是合理的，因为这些制程技术针对特定应用，但缺少节点间升级的信息在一定程度上模糊了它们的重要性及其带来的进步，也未能突出多年来取得的显著进展。 

根据幻灯片显示，从N7（2018年工艺节点）升级到A14（2028年工艺节点），在相同功耗水平下性能提升1.83倍，能效提升4.2倍，这看起来非常显著。然而，这两项技术之间相隔十年之久。台积电还指出，每一代新的主要工艺节点相比上一代节点都能降低约30%的功耗。相比之下，主要节点的性能提升幅度仅为15%至18%，这在一定程度上表明，台积电在设计这些制造工艺时，更关注的是功耗控制。 

有趣的是，除了台积电的制程节点之外，还有其他方法可以提高设计的能效。例如，芯片设计人员可以使用人工智能增强的 Cadence Cerebrus AI Studio 和 Synopsys DSO.ai 等自动化布局布线 (APR) EDA 工具，这些工具利用强化学习技术探索更广泛的优化空间，涵盖各种制造工艺和布局，并自动调整设计参数和布局方案，从而提升性能、降低功耗并缩小面积 (PPA)。  根据幻灯片显示，这种方法通过优化APR流程可节省5%的功耗，通过优化金属层方案可额外提升2%的性能，总功耗节省达7%，与台积电通过节点间优化所能达到的节能效果相当。当然，此类数据仅供参考，因为并非所有设计都能优化到如此程度。不过，不可否认的是，EDA工具（尤其是更智能的APR工具）在利用现代制造技术实现更高性能和更低功耗方面发挥着越来越重要的作用。

5 ) 黄仁勋2025年多次在美国智库及公开交流场合，系统阐述了他眼中“中国AI的优势”。归纳起来有6条：

1. 人才体量与结构

全球约50%的AI研究人员具有中国高校本科背景；在保尔森基金会智库的统计里，顶尖AI研究者中47%毕业于中国大学，美国仅为18%。黄仁勋强调“这是一股结构性力量”，且由于签证与产业机会变化，海外华人人才正在加速回流。

2. 开源模型与迭代速度

他认为美国前沿模型大约只领先半年，但“开源生态中国遥遥领先”。DeepSeek、阿里、百度等发布的开源大模型在Hugging Face与伯克利盲测榜长期霸榜，使初创企业、高校和制造业都能零成本接入并快速改进。

3. 能源-算力一体化优势

中国年发电量已是美国的两倍以上，且绿电占比高；国家把“东数西算”与可再生能源捆绑，数据中心可获得接近“免费”的电力补贴。“用电力补算力”放大了国产芯片的可用性，也抵消了先进制程受限的影响。

4. 硬件-软件-场景闭环

复杂而高效的供应链让“硬件迭代一周、软件当天更新”成为常态；从小米AI眼镜到宇树机器人，新产品能在最短时间内完成“样机-量产-市场验证”闭环，这种垂直整合能力被黄仁勋称为“建设速度令人敬畏”。

5. 政策与市场规模

监管路径更务实，中央-地方协同把AI当成“新基建”来投；庞大的国内用户与数据规模让模型一上线就能“跑量”，快速积累改进样本。

6. 自主芯片与生态突围

华为昇腾、寒武纪思元等已做出可对标A100的集群方案，更重要的是它们配套CANN、Neuware等兼容层，CUDA代码几乎不用改就能迁移，“英伟达的护城河正在被拆掉”。

因此，黄仁勋在智库会上给出的结论可以概括为：“中国拥有最大的人才库、最快的建设速度、最强的开源生态和能源-制造一体化优势；一旦形成自己的技术栈，就会以你想象不到的速度向外扩散。

6 ）美国允许出口英伟达H200芯片到中国可能带来以下几方面的结果

1. 对英伟达和美国芯片产业的利好

- 营收恢复：中国市场曾是英伟达最大市场之一，占其数据中心收入约25%。解禁H200将帮助英伟达恢复数十亿美元的潜在收入，缓解因出口限制造成的销售下滑压力。

- 股价提振：特朗普宣布消息后，英伟达股价盘后上涨逾2%，并带动AMD、英特尔等芯片公司股价走高。

- 政策扩展预期：特朗普表示，这一政策也将适用于AMD、英特尔等其他美国芯片公司，可能带动整个美国半导体行业对中国市场的出口恢复。

2. 对中国AI产业的影响

- 技术能力提升：H200性能是此前允许出口的H20芯片的6倍，能显著提升中国AI模型训练和推理能力，使部分中国AI实验室具备接近美国水平的超算能力。

- 短期依赖加剧：尽管中国正推进国产替代（如华为昇腾芯片），但H200仍显著优于本土产品。短期内，中国AI企业可能继续依赖进口高端芯片。

- 政策反应不确定：中国官方此前对美国芯片提出过“安全后门”质疑，是否允许大规模采购H200仍需观察北京的政策立场。

3. 对中美科技竞争格局的影响

- 战略妥协信号：此次出口许可被视为“中间路线”——既不放行最先进的Blackwell芯片，也不完全封锁，以避免刺激中国加速技术自主。

- 美国国内争议：部分政界人士和专家担忧，此举可能帮助中国提升军事AI能力，削弱美国的技术领先优势，甚至被认为是“国家安全上的倒退”。

- 中国反制因素：在美国放松芯片出口的同时，中国也在加强对稀土等关键材料的出口管控，未来可能以资源限制作为反制手段。

总结：美国允许出口H200芯片到中国，是一次具有战略意味的政策调整，既试图恢复美国企业的市场份额，也希望通过“次优技术”维持对中国的技术控制。短期内，这将利好英伟达和部分中国AI企业，但长期来看，可能加速中美在AI和半导体领域的博弈与分化。

7 ）传北方华创攻克90:1深孔刻蚀，可助300层3D NAND制造

根据瑞银（UBS）近日的一份报告，中国半导体设备龙头企业北方华创（NAURA）在90:1高纵横比（High Aspect Ratio, HAR）深孔刻蚀技术上取得重大进展，将有望支持300层以上3D NAND闪存的制造。

3D NAND技术是当前存储芯片发展的核心方向。为提升存储密度，厂商不断堆叠存储单元层数——从早期的64层、128层，到如今的200层以上，并加速向300层甚至更高演进。

对于300层以上的NAND，深宽比需达到90:1甚至100:1，这对刻蚀精度、均匀性、垂直度和工艺稳定性提出了极致要求，被公认为半导体制造中最苛刻的工艺之一。

长期以来，此类高端刻蚀设备市场由美国泛林（Lam Research）、日本东京电子（TEL）等国际巨头垄断。然而，在美国对华实施半导体设备出口管制、先进存储与成熟制程设备遭禁运的背景下，国产替代已从“可选项”变为“必选项”。北方华创此次技术进展，正是在这一战略窗口期的关键突破。

值得一提的是，国内另一家刻蚀龙头中微公司此前已宣布实现90:1深孔刻蚀能力，并正攻关100:1技术。

8 ) 如果H200 顺利通关、25% 出口税落地，它在中国有多大市场

1. 总潜在市场

黄仁勋与瑞银、William Blair 等口径一致：中国 AI 加速卡市场 2025 年总需求约 200 万张卡，对应整机/系统销售额 500 亿美元。

2. 国产化缺口

国内替代方案（昇腾、寒武纪、壁仞等）2025 年合计只能满足约 100 亿美元，相当于 20% 的份额，剩下 400 亿美元（≈160 万张卡）在性能、生态或产能上仍依赖进口。

3. H200 可切到的“蛋糕”  

   - 云服务商（CSP）与大型互联网厂是 H200 主战场，这块需求约 140 万张卡、350 亿美元。  

   - 若英伟达拿到其中 60%–70% 的订单（其余被国产卡、AMD、Intel 分食），对应 200–250 亿美元收入；按 25% 出口税倒推，中国客户实际支付 250–310 亿美元。  

   - 考虑到许可证审批、用户预算节奏和可能的分季度配额，2026 年内能确认的收入普遍被模型折半——即 120–150 亿美元左右，对应 8–10 万张 H200 卡。

4. 敏感度  

   - 若北京进一步设置“最终用户白名单”或配额，出货量下限可能只剩 4–5 万张卡，收入 60–80 亿美元。  

   - 若国产 910C、BR2600 等延迟放量，英伟达份额可再抬升到 80%，上限收入 180–200 亿美元（≈12–13 万张卡）。

结论

“政策中性”情形下，H200 在 2026 日历年有望为中国市场带来 120–150 亿美元的销售（约 8–10 万张卡），占中国 AI 加速市场总体规模的 25–30%，占英伟达全球数据中心收入 8–10%。如果审批收紧或国产替代超预期，实际数字可能下修至 60–80 亿美元；反之若替代芯片延期，则有望冲击 180–200 亿美元。

9 ）光刻机进口的现状

美国从2022年10月就开始收紧对华芯片出口管制，拉着荷兰和日本一起行动。荷兰有阿斯麦这家光刻机大厂，本来在2023年3月跟进，禁止最先进的EUV和部分DUV卖给中国大陆。

但实际操作中，他们只限高端型号，中低端如用于28纳米的1980Di还能继续出口。到了2024年，阿斯麦对华销售占比一度冲到49%，帮公司稳住业绩。

日本那边则在2023年7月实施23类设备管制，涵盖蚀刻和测试工具，主要针对10到14纳米工艺。

荷兰政府在2025年1月悄然调整，把大部分对华DUV销售从双重用途出口统计中剔除，不用公开审查。

阿斯麦的CEO傅恪礼在2025年10月财报会上说，中国过去两年买得特别多，但2026年会降下来。

可现实是，2025年第三季度，中国业务还占公司总收入的42%，净销售75亿欧元。荷兰首相斯霍夫也表态，希望自己决定对华政策，不完全听美国的。

日本经济产业省从2023年1月就要求尼康和佳能停售浸没式光刻机，导致2024年对华出口额掉20%，损失至少30亿美元。企业像东京电子，订单转向东南亚，但恢复慢。

日媒直言，日本跟美国太紧，结果企业吃亏。 

荷兰阿斯麦在北京扩建维修中心， 2025年3月运营，占地翻倍，备件齐全，14纳米线良率升了15%。这让中国工厂停机时间少三成，生产更稳。2025年6月，荷兰启动独立审批，继续放行中低端设备到中国指定厂。

日本媒体直喊，我们上当了，本以为大家一起封，结果荷兰钻空子。

美国在2024年12月2日又出新规，限DUV计量工具出口，阿斯麦说2025年销售预期不变。中国市场对阿斯麦太重要，2023年贡献27亿欧元，占总营收15%。

莫大康：浙江大学校友，求是缘半导体联盟顾问。亲历50年中国半导体产业发展历程的著名学者、行业评论家。