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求是缘半导体周要闻－莫大康(2026.3.9)
来源: | 作者:芯缘 | 发布时间: 2026-03-09 | 19 次浏览 | 分享到:

人工智能尚未见盈利，然而巨额投资持续加大

技术层面：高昂的“入场券”成本
AI，特别是当前主流的生成式AI，其发展遵循“规模定律”（Scaling Laws），即模型的性能与其投入的算力、数据和能源成正比。这种特性决定了其研发和运营成本极其高昂，构成了极高的进入壁垒。


  • 研发成本巨大：训练前沿AI模型需要消耗海量的计算资源（如高性能GPU）、庞大的数据集和顶尖人才。例如，谷歌Gemini Ultra的训练成本高达1.91亿美元，而Grok 3模型更是消耗了约20万块英伟达GPU。自2016年以来，前沿模型的训练成本平均每年增长2.4倍。
  • 基础设施依赖：AI的发展依赖于庞大的计算基础设施，包括数据中心、高速网络和电力供应。这些都属于重资产投入，需要持续的资金支持才能建设和维护。
  • 持续迭代压力：AI技术更新迭代速度极快。为了保持竞争力，企业和机构必须持续投入资金进行模型优化、算法创新和新产品开发，任何放缓或停止投资都可能导致技术落后，甚至被市场直接淘汰。


商业层面：长期的“护城河”构建
尽管短期内盈利模式尚不清晰，但科技巨头和战略投资者仍将AI视为未来商业竞争的“入场券”和构建长期优势的关键。


  • 构建基础设施级优势：当前对AI的投资，类似于互联网时代建设服务器和光纤。巨富和科技巨头的投资重点并非前端应用（如聊天机器人），而是算力、大模型、AI芯片等底层“基础设施”。这些环节一旦形成优势，就能像“行业房东”一样，长期获取行业红利。
  • 形成战略垄断地位：高昂的研发成本和技术门槛天然地将许多参与者拒之门外，这为领先者形成了强大的“护城河”。持续投资可以巩固其市场领导地位，确保在未来的技术格局中占据主导。
  • 探索未来商业版图：AI被视为驱动未来经济增长的核心引擎。持续投资是为了抢占未来产业的制高点，无论是通过提升现有业务（如云服务）的竞争力，还是通过颠覆性创新开辟全新的市场和收入来源。02

预估2026年全球八大CSP合计资本支出将破7100亿美元，谷歌TPU引领ASIC布局

根据TrendForce集邦咨询最新AI server产业研究，为加速AI应用导入与升级，全球云端服务供应商(CSP)持续加强投资AI server及相关基础建设，预计2026年八大主要CSP的合计资本支出将超越7,100亿美元，年增率约61%。业者除持续采购NVIDIA（英伟达）、AMD（超威）GPU方案外，也扩大导入ASIC基础设施，以确保各项AI应用服务的适用性，以及数据中心建置成本效益。

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八大CSP包含美系Google（谷歌）、AWS（亚马逊云科技）、Meta、Microsoft（微软）、Oracle（甲骨文）以及中系的Tencent（腾讯）、Alibaba（阿里巴巴）、Baidu（百度）。TrendForce预估，2026年Google母公司Alphabet的资本支出有望超1,783亿美元，年增高达95%。Google较其他CSP更早投入自研ASIC，已累积显著的研发优势，预期今年TPU主力将转进至v8新平台。受惠Google Cloud Platform、Gemini等AI应用带动TPU需求，预估2026年TPU于Google AI server的出货占比将上升至逼近78%，扩大与GPU AI server的差距。Google也是各CSP中唯一ASIC机种出货比例高于GPU机种的业者。
Amazon（亚马逊）近期则上调对英伟达GB300、V200整柜系统的采购规模，反映其加速导入更高功耗与密度的GPU平台，以应对云端AI训练、推理服务扩张需求，预估2026年其GPU机种于自家AI server占比将达近60%。自研ASIC部分，预计其新一代Trainium 3将于2026年第二季起接替Trainium 2/2.5放量，系统端因尚需配合软件成熟度、产品验证等，出货动能可能到下半年才较为显著。03

2025年全球专属晶圆代工TOP10

2025年全球29家专属晶圆代工公司整体营收为11485亿元，相较2024年上涨25.46%，这也是专属晶圆代工市场首次突破一万亿元大关。  2025年前十大专属晶圆代工整体营收为11056亿元，较2024年增长了26.12%，整体市占率增加了0.52个百分点。 根据总部所在地划分，前十大专属晶圆代工公司中，中国大陆有四家（中芯国际SMIC、华虹集团HuaHong、晶合集成Nexchip、芯联集成UNT），分别是第二、第五、第九和第十位，2025年整体市占率为10.44%，较2024年减少0.43个百分点；中国台湾有四家（台积电TSMC、联电UMC、力积电Powerchip、世界先进VIS），整体市占率为80.67%，较2023年增加2.15个百分点；美国一家（格芯GlobalFoundries），市占率为4.21%，较2023年减少1.03个百分点；以色列一家（高塔Tower），市占率为0.95%，较2023年减少0.18个百分点。

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台积电美国厂2025年净利润扭亏为盈

全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）在美国的首次大规模制造布局迎来了一个里程碑式的财务拐点。根据台积电最新发布的2025年度财务报告，其位于亚利桑那州的子公司（TSMC Arizona）在经历了自2021年启动以来连续四年的营运亏损后，于2025年度成功扭亏为盈，录得税后净利润161.4亿新台币（约合5.16亿美元）。
台积电2025年合并营收年增31.6%，续创历史新高。根据财报显示，占全年营收10%以上客户共有两家，分别贡献19%与17%，其中贡献比重达19%的甲客户，年增幅度高达7个百分点。乙客户贡献金额则较前一年的22%下滑5个百分点。
台积电亚利桑那厂的旅程始于2020年，当时公司宣布将在美国投资建设先进的半导体晶圆厂。自2021年正式启动运营以来，该工厂一直处于建设和产能爬坡的“烧钱”阶段。财报数据显示，在2021年至2024年的四年间，该子公司累计产生了高达12.5亿美元（约合394亿新台币）的营运亏损。其中，仅2024年一年的亏损就达到142.98亿新台币。
亏损主要源于高昂的初期建设成本、供应链本地化挑战以及运营爬坡期的效率问题。此外，美国当地相对中国台湾地区更高的建筑、劳工及合规成本，也持续侵蚀着项目的利润。
然而，这一亏损趋势在2025年被彻底扭转。财报指出，亚利桑那子公司在2025年实现了161.4亿新台币的盈余。市场分析普遍认为，这一盈利转折点主要得益于几个关键因素：其一，该基地的首座晶圆厂（Fab 21）在2024年第四季度开始进入4纳米制程的量产阶段，2025年是首个完整量产年度，产能利用率得到显著提升；其二，人工智能（AI）浪潮带动的高性能计算芯片需求爆发，确保了该厂高端产能的被充分利用，主要客户包括苹果、英伟达、AMD等业界巨头。
而台积电位于中国大陆的南京厂，在2022年至2024年间分别获利新台币204.86亿元、217.55亿元、259.54亿元，2025年获利新台币276.06亿元（约合人民币60.32亿元），合计四年获利新台币958亿元05

两大DRAM巨头第二季度启动大幅调价

全球存储芯片市场正迎来新一轮强劲的价格波动周期。据行业消息，占据主导地位的三星电子与SK海力士已正式通知客户，计划在2026年第二季度大幅上调动态随机存取存储器（DRAM）的供应价格。此番调价背后，是全球人工智能（AI）投资热潮所驱动的需求，已远远超出顶级制造商的产能扩张速度，市场从“买方市场”彻底转向“卖方市场”。
一位行业内部人士透露，目前三星电子的生产产能仅能满足市场上约60%持续飙升的DRAM需求。在这种供需严重失衡的背景下，客户的优先考量已经从“抵制涨价”转变为“确保拿到货”，因此大幅度的价格上调预计不会遇到太大阻力。
本轮DRAM价格的上涨趋势并非偶然的短期供需错配。自2025年下半年以来，随着全球各大科技公司竞相投资建设AI基础设施，对用于数据存储和高速处理的DRAM需求便持续爆炸性增长。市场研究机构Gartner在近期的一份预测中指出，到2026年底，包括DRAM和固态硬盘（SSD）在内的存储器价格，整体涨幅可能达到惊人的130%。
行业专家分析认为，当前的价格飙升反映了一个更深层次的结构性问题：长期的、根本性的需求增长已经超越了供应链的扩张能力。这源于AI产业正在从执行简单搜索任务的模型，向能够替代人类专业知识的“智能体AI”（Agentic AI）演进。随着这类AI在企业、政府乃至个人智能手机中的广泛应用，支撑其推理和计算过程的DRAM需求将持续爆发。
此次涨价潮也进一步加剧了不同规模客户之间的“采购力鸿沟”。通常，英伟达、苹果等全球科技巨头凭借巨大的采购量，在与三星、SK海力士谈判时占据优势地位。它们通常按季度或半年度签订长期供应协议，提前锁定价格区间和采购量，最终的交付价格仅会根据市场价进行微调。制造商为了维持稳定的供应链，也会为这些大客户提供无论市场周期如何都相对优惠的价格政策。06

氖气是半导体制造的战略级稀有气体

氖气核心用在光刻、刻蚀、离子注入、保护/载气四大关键环节，尤其先进制程（7nm及以下）不可替代。
一、光刻（最核心、用量最大）
DUV准分子激光气源（刚需）
KrF（248nm）、ArF（193nm） 激光器的混合/缓冲气体，与F₂、Ar、Kr混合形成激光介质。


  • 作用：稳定波长、提升功率、延长激光器寿命；7nm及以下先进制程必须用。
  • 用量：单台ArF浸没式光刻机年耗高纯氖200–300m³。
  • EUV光刻：少量用于光源/腔体保护与等离子体辅助。


二、等离子体刻蚀（干法刻蚀）
作为等离子体源/辅助气体，射频激发产生高能粒子，实现高精度刻蚀。


  • 优势：化学惰性，不与晶圆反应，刻蚀轮廓精准、选择性高、损伤小。
  • 场景：硅、氧化硅、氮化硅、金属层刻蚀；MEMS、功率半导体、3D NAND关键工艺。


三、离子注入
作为离子束载气/掺杂剂（²⁰Ne同位素）。


  • 作用：提升离子束纯度与稳定性，实现B、P、As等杂质精准注入，决定晶体管电性与良率。
  • 场景：先进逻辑、存储芯片的浅结/超浅结注入。


四、保护/载气（辅助但必需）


  • 退火/扩散：惰性保护气氛，隔绝氧化与污染。
  • 腔体清洗：等离子体清洗，去除残留聚合物与颗粒，降低缺陷率。
  • 封装/测试：惰性保护，防止芯片氧化与腐蚀。


一句话总结：


  • 光刻（DUV）：用量最大、最不可替代
  • 刻蚀+离子注入：先进制程精度保障
  • 保护/载气：全流程稳定器07

中国半导体业设计制造及封装

中国半导体三业数据尚末正式公布，通常每年三月由中半协正式发表。但根据网络已经有未经核实的报道，现归纳如下供参考：

产业链环节
2025销售额（亿元）
同比增速
占产业比重
芯片设计业
8357.3
29.40%
49.40%
晶圆制造业
5008.8
12.00%
29.60%
封装测试业
3533.9
12.30%
21.00%
中国半导体产业合计
16900
16.80%
100.00%
08

全球半导体产业链数据


2025半导体产业链环节
全球总额(亿美元)
北美
韩国
中国台湾
中国大陆
日本
欧洲
其他
半导体总销售额
7920
4330
1500
360
650
220
400
460
Fabless（纯设计）
3280
2070
220
410
380
80
80
40
IDM（集成制造）
4640
2260
1280
0
270
140
320
370
纯晶圆代工（Foundry）
1650
120
250
1000
180
50
30
20
纯封装代工（OSAT）
475
20
60
190
140
45
0
20
半导体设备
1330
480
150
40
120
330
170
40
半导体材料
831
166
100
50
50
43
23
30
EDA 工具
212
180
0
0
6
8
8
10
半导体 IP
102
70
0
6
4
2
2
0
存储器（DRAM+NAND+NOR）
2230
380
1560
20
120
130
0
20
注;由AI豆包生成,未经复核，仅供参考09

IC存储总结（ROM，RAM, EEPROM, Flash, SRAM, DRAM, DDL）

只读存储器（Read-Only Memory，ROM）:只读存储器不能快速随时修改或重新写入数据，适用于存储固定数据的场合；但电路简单，断电后数据不会丢失。
随机存储器（Random Access Memory，RAM）:正常工作状态下便可以随时快速的向存储器写入数据或者从中读取数据。也就是数据读写快。

ROM
RAM
断电后特性
数据不会丢失
断电时会丢失存储的数据
容量
小
大
读写速度
比较慢
读写速度比较快
价格
低
高
ROM分类


  • 掩模 ROM ( MROM )：这种ROM是由制造厂家利用一种掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，用户不能修改。
  • PROM (一次性编程)：一种电脑存储记忆晶片，它允许使用称为PROM编程器的硬件将数据写入设备中。在PROM被编程后，它就只能专用那些数据，并且不能被再编程，这种记忆体用作永久存放程式之用。
  • EPROM (多次性编程 )：编程完成后，通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。只能用强紫外线照射来擦除。
  • EEPROM (多次性编程 )：带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 可以通过电子操作擦除和编程(高压)。



掩膜只读存储器（Mask ROM）
可编程只读存储器（PROM）
可擦除可编程只读存储器（EPROM）
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）
读写特性
只能读
允许一次性编程
允许多次编程和擦除操作，强紫外线照射来擦除
允许多次编程和擦除操作，电子操作擦除和编程
应用
固定式电子设备
早期电子系统
古老的计算机和设备，开发和测试设备
嵌入式系统
Flash Memory (闪速型存储器)
一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储。 Flash 又可以分为NOR Flash和NAND Flash。

NOR Flash
NAND Flash
架构
随机存取架构
顺序存取架构
容量范围
较小（KB 到数百 MB）
较大（GB 到 TB 级别）
访问速度
随机读取快，写入慢
顺序读取快，随机读取慢
适用场景
存储代码、小型嵌入式系统
数据存储、大容量文件系统
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）
最常见的RAM类型，需要定期刷新来保持数据不丢失。DRAM通常用于计算机的主存储器。
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）
速度比DRAM快，但功耗和成本也更高。它通常用于需要高速缓存（如CPU的L1和L2缓存）或特定应用（如嵌入式系统）的场合。
DDR SDRAM（Double Data Rate，双倍数据速率）
是一种在时钟信号的上升沿和下降沿都传输数据的DRAM技术，可以显著提高数据传输速率。随着技术的发展，已经出现了DDR2、DDR3、DDR4和DDR5等版本。

DRAM
SRAM
DDR SDRAM
优点
生产简单，成本低，可以存储更多数据
由于不需要刷新，数据存取速度比DRAM快得多
在同一时钟周期内传输两倍的数据，提高了内存带宽
缺点
刷新操作会占用一部分时间，降低整体速度
单位面积内存储的比特数比DRAM少，成本高
复杂的电路设计，成本和功耗也会相应增加。
应用
DRAM广泛应用于计算机的主存（如台式机、笔记本、服务器）和其他需要大容量存储的设备中
常用于高速缓存（L1、L2、L3 Cache）等需要高速度的存储区域，以及嵌入式系统中的缓冲存储
DDR内存广泛用于现代计算机、服务器、显卡等设备中。随着技术的进步，已经发展到DDR4、DDR5，带来更高的速度和能效
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半导体市场AI 驱动高增长，2026 年或超 20%

关键要点


  • AI 推动 2025 年半导体市场增长 25.6%，由英伟达及主要存储企业引领。
  • AI 带来的存储需求造成短缺，尽管整体市场增长，但 PC 与智能手机收入面临下滑风险。
  • 预计 AI 驱动的增长将持续强劲，2026年增速可能超过 20%。


据 WSTS 数据，2025 年全球半导体市场规模为 7920 亿美元。相比 2024 年增长 25.6%，是自 2021 年疫情复苏期 26.2% 以来的最强增幅。增长主要由 AI 带动，英伟达营收上升 65%。主要存储厂商（三星、SK 海力士、美光科技、铠侠与闪迪）均表示 AI 是其合计 29% 营收增长的主要驱动力。 2025 年第四季度业绩表现不一。存储企业营收较 2025 年第三季度增长 21%–34%，英伟达增长 20%。十家公司第四季度营收增幅在 0.2%–11% 之间。四家公司（德州仪器、英飞凌、索尼影像与安森美）则出现营收下降。

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2026 年半导体营收展望
对 2026 年第一季度营收环比变化的指引不一。三家提供指引的存储公司预期 2026Q1 营收将大幅增长：美光 37%、闪迪 52%、铠侠 64%。英伟达预计 AI 将推动 14% 的营收增长。四家公司基于工业市场复苏与 AI 持续强劲，预期营收增长 2%–11%。AMD、恩智浦半导体、意法半导体与安森美则因季节性因素预期营收下降。
AI 引发的巨大存储需求正导致其他应用的存储供应短缺。英特尔预计 2026 Q1营收将比 2025 Q4下降 11%，原因是 PC 用存储短缺。高通与联发科均将智能手机存储短缺列为预期营收下降的原因。 去年 12 月，IDC 指出，存储短缺可能导致 2026 年智能手机与 PC 出货量下降。

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因此，如果 2026 年 AI 增长保持强劲，依赖智能手机与 PC 市场的半导体公司可能在 2026 年出现营收下滑。
一年前，无人预料到 AI 需求会推动 2025 年半导体市场增长 25.6%。我们 Semiconductor Intelligence 为当年最准确的半导体市场预测颁发“虚拟奖”。评选标准为前一年 10 月至次年 3 月初 WSTS 发布 1 月数据之间公开可获得的预测。2025 年获奖者为 IDC，其预测增长率为 15%。其他多个预测机构的数字在 12%–14% 区间。
展望 2026 年，近期预测分为两档。低档组：Cowan LRA 模型（基于历史营收趋势）为 9.5%，Future Horizons 为 12%。高档组：RCD Advisors 为 23%，WSTS 为 26.3%，Semiconductor Intelligence 为 30%。

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我们认为，AI 的强劲扩张至少会持续到 2026 年上半年。2025 年第三季度半导体市场季度环比增长 16%，第四季度 14%，加上预期的 2026Q1 强劲表现，几乎可以保证 2026 年整体增长超过 20%。即使存储短缺影响智能手机与 PC 市场，蓬勃发展的 AI 市场以及工业、汽车市场的相对稳定，仍将继续推动 2026 年半导体行业增长。
莫大康：浙江大学校友，求是缘半导体联盟顾问。亲历50年中国半导体产业发展历程的著名学者、行业评论家。